总投资240亿美元 国家存储器基地项目武汉光谷开工

12月30日,总投资240亿美元的国家存储器基地项目在东湖高新区正式动工建设。

长江日报讯(记者肖娟 通讯员张珊妮 杨正楠)昨日，总投资240亿美元的国家存储器基地项目在东湖高新区正式动工建设。

国家存储器基地项目12月30日在武汉正式动工建设。该项目由国家集成电路产业基金、紫光集团、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。图为项目投资方代表在现场调研。中新网 王诗垠 摄

该项目位于武汉未来科技城，长江存储科技有限责任公司作为实施主体公司，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设，总占地面积1968亩，主要生产存储器芯片，填补我国主流存储器领域空白。

紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国表示，国家存储器基地正式动工建设，意义深远：这是中国存储芯片产业规模化发展“零”的突破，“中国存储器航母”正式起航;该项目的顺利运作，体现了“国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作”新模式的成功探索。

目前，一期建设的80亿美元资金已全部到位，计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。项目建成后，以此为龙头将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展。

发展集成电路产业是国家战略，其中存储器最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺。随着大数据、云计算产业发展，存储芯片在整个芯片市场占比超过25%，未来5年内将达到45%左右。

2006年，湖北省、武汉市和东湖高新区投资100亿元建设了武汉新芯12英寸晶圆制造项目。“追芯”10年，武汉成为国家重点支持的集成电路四大产业集聚区之一。

在几天前刚刚公布的《促进中部地区崛起“十三五”规划》中，明确指出“支持武汉、合肥建设存储器产业基地”，目前，合肥长鑫也有相关投资计划曝光，计划2017年7月新建12寸晶圆厂。对于武汉来说，国内其他地区的产业竞争态势也不容忽视。